| 成果基本信息 | ||||||
| 关键词: | 磷化硼、偏振调控器 | |||||
| 成果类别: | 应用技术 | 技术成熟度: | 初期阶段 | |||
| 体现形式(基础理论类): | 其他 | 体现形式(应用技术类): | 新技术 | |||
| 成果登记号: | 资源采集日期: | |||||
| 研究情况 | |||||
| 单位名称: | 武汉理工大学 | 技术水平: | 未评价 | ||
| 评价证书号: | 评价单位: | ||||
| 评价日期: | 评价证书号: | ||||
| 转化情况 | |||||
| 转让范围: | 合作开发 | 推广形式: | 合作开发 | ||
| 已转让企业数(个): | |||||
| 联系方式 | |||||
| 联系人(平台): | 孵化基地 | 联系人(平台)电话: | 0771-3394012 | ||
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| 成果简介 | |||||
本发明涉及光学器件技术领域,具体涉及一种基于磷化硼材料的全电介质偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器和绝缘介质层单体,所述双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆,双杆谐振器固设于所述绝缘介质层单体顶部,第一谐振器杆和第二谐振器杆与x轴、y轴之间形成45°夹角,第一谐振器杆和第二谐振器杆由磷化硼材料制作而成,绝缘介质层单体由二氧化硅材料制作而成。其可以在可见光波段454 nm‑469 nm、473 nm‑493 nm对正入射的光波实现高偏振转换,扩大了全电介质偏振调控器的适用范围,满足了更短波长的使用需求 |