| 成果基本信息 | ||||||
| 关键词: | 芯片,超薄热电薄膜,瞬态制冷 | |||||
| 成果类别: | 应用技术 | 技术成熟度: | 初期阶段 | |||
| 体现形式(基础理论类): | 其他 | 体现形式(应用技术类): | 新技术 | |||
| 成果登记号: | 资源采集日期: | |||||
| 研究情况 | |||||
| 单位名称: | 武汉理工大学 | 技术水平: | 未评价 | ||
| 评价证书号: | 评价单位: | ||||
| 评价日期: | 评价证书号: | ||||
| 转化情况 | |||||
| 转让范围: | 合作开发 | 推广形式: | 合作开发 | ||
| 已转让企业数(个): | |||||
| 联系方式 | |||||
| 联系人(平台): | 孵化基地 | 联系人(平台)电话: | 0771-3394012 | ||
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| 成果简介 | |||||
一种应用于芯片的超薄热电薄膜的瞬态制冷方法,所述制冷方法基于如下超薄热电薄膜结构,所述超薄热电薄膜结构包括热电模块、芯片和直流电源,所述芯片布置于热电模块的冷端,所述热电模块的正极接线端通过继电器与直流电源的正极相连接,所述热电模块的负极接线端直流电源的负极相连接,所述继电器4的控制端与控制器信号连接;第一步:测试学习,记录并存储尖峰功率持续时间为ΔT;第二步:瞬态制冷,当功率达到尖峰功率后0.4ΔT时开始制冷,持续0.8ΔT停止制冷。本设计不仅降温迅速、无滞后性,而且采用脉冲制冷,在满足芯片降温需求的同时减小器散热的负担,提高实际降温效果 |