| 成果基本信息 | ||||||
| 关键词: | 氮化钛多孔导电陶瓷 | |||||
| 成果类别: | 应用技术 | 技术成熟度: | 初期阶段 | |||
| 体现形式(基础理论类): | 其他 | 体现形式(应用技术类): | 新技术 | |||
| 成果登记号: | 资源采集日期: | |||||
| 研究情况 | |||||
| 单位名称: | 武汉理工大学 | 技术水平: | 未评价 | ||
| 评价证书号: | 评价单位: | ||||
| 评价日期: | 评价证书号: | ||||
| 转化情况 | |||||
| 转让范围: | 合作开发 | 推广形式: | 合作开发 | ||
| 已转让企业数(个): | |||||
| 联系方式 | |||||
| 联系人(平台): | 孵化基地 | 联系人(平台)电话: | 0771-3394012 | ||
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| 成果简介 | |||||
本发明是一种氮化钛多孔导电陶瓷的制备方法,即:先将分散剂、胶凝剂配置为组合助剂,加入陶瓷粉体及烧结助剂,搅拌混合均匀后制备出陶瓷料浆,再注入模具中,经固化成型、干燥,制备得到陶瓷坯体,再在特定的排胶制度下进行排胶热处理,选用场助烧结或无压烧结中的一种,在设定的温度及气氛下进行烧结,得到所述的TiN多孔导电陶瓷。该多孔陶瓷的孔隙率为30~70%,孔径尺寸1~20μm,抗弯强度为15~150MPa,电导率为8~25×103S/m。本发明在制备过程中避免了高温氮化过程,所得氮化钛多孔陶瓷纯度更高,孔隙率高,孔径分布均匀,结构可控,且可降低烧结温度,成本低廉,工艺简单,操作方便 |