| 成果基本信息 | ||||||
| 关键词: | HfO2/HfB2,高红外发射率,陶瓷涂层 | |||||
| 成果类别: | 应用技术 | 技术成熟度: | 初期阶段 | |||
| 体现形式(基础理论类): | 其他 | 体现形式(应用技术类): | 新技术 | |||
| 成果登记号: | 资源采集日期: | |||||
| 研究情况 | |||||
| 单位名称: | 武汉理工大学 | 技术水平: | 未评价 | ||
| 评价证书号: | 评价单位: | ||||
| 评价日期: | 评价证书号: | ||||
| 转化情况 | |||||
| 转让范围: | 合作开发 | 推广形式: | 合作开发 | ||
| 已转让企业数(个): | |||||
| 联系方式 | |||||
| 联系人(平台): | 孵化基地 | 联系人(平台)电话: | 0771-3394012 | ||
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| 成果简介 | |||||
本发明公开了一种HfO2/HfB2复合高红外发射率陶瓷涂层及其制备方法。以HfO2和B4C为原料,加去离子水与粘结剂研磨混合,然后喷雾造粒、筛分得HfO2/B4C复合团聚粉末;利用大气等离子喷涂工艺,将复合团聚粉末直接喷涂到待喷涂件表面,大气等离子喷涂工艺中,离子气的辅助气体含有H2,喷涂过程中,原料与H2反应生成HfB2、CO2和水蒸气,气体溢出,即得HfO2/HfB2复合高红外发射率陶瓷涂层。该陶瓷涂层制备工艺简单,可在喷涂过程中直接得到,无需另外添加还原剂,无需高温焙烧过程,合成时间短,能耗低,所得陶瓷涂层纯度高,红外发射率高,满足~2000℃超高温真空环境下应用 |