成果基本信息 | ||||||
关键词: | 半导体制冷器;高过载;陶瓷基板;器件封装 | |||||
成果类别: | 技术成熟度: | |||||
体现形式(基础理论类): | 体现形式(应用技术类): | 无 | ||||
成果登记号: | 9512018Y0371 | 资源采集日期: | 2019-04-15 |
研究情况 | |||||
单位名称: | 电子科技大学 | 技术水平: | |||
评价证书号: | 评价单位: | ||||
评价日期: | 2015.11.18 | 评价证书号: |
转化情况 | |||||
转让范围: | 推广形式: | 无 | |||
已转让企业数(个): | 0 |
联系方式 | |||||
联系人(平台): | 玉女士 | 联系人(平台)电话: | 0771-5885053 | ||
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成果简介 | |||||
本实用新型公开了一种抗高过载的半导体制冷器,属于半导体制冷器及器件封装技术领域。包括:器件封装底座、半导体制冷器、沉头螺钉、银浆或焊料等组件。所述半导体制冷器冷面的陶瓷基板两端长于热面两端,冷面的陶瓷基板两端为斜槽结构,并在斜槽中间刻有通孔,通过沉头螺钉和底座连接。利用这种结构可增强半导体制冷器抗过载的能力,提高器件的结构强度。本实用新型能保证半导体制冷器在高过载情况下器件结构完整,满足封装组件在高过载情况下的工作要求。 |