| 成果基本信息 | ||||||
| 关键词: | 磁致伸缩,导波检测 | |||||
| 成果类别: | 应用技术 | 技术成熟度: | 初期阶段 | |||
| 体现形式(基础理论类): | 其他 | 体现形式(应用技术类): | 新技术 | |||
| 成果登记号: | 资源采集日期: | |||||
| 研究情况 | |||||
| 单位名称: | 武汉理工大学 | 技术水平: | 未评价 | ||
| 评价证书号: | 评价单位: | ||||
| 评价日期: | 评价证书号: | ||||
| 转化情况 | |||||
| 转让范围: | 合作开发 | 推广形式: | 合作开发 | ||
| 已转让企业数(个): | |||||
| 联系方式 | |||||
| 联系人(平台): | 孵化基地 | 联系人(平台)电话: | 0771-3394012 | ||
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| 成果简介 | |||||
本发明属于无损检测技术领域,公开了一种磁致伸缩导波单向检测方法,包括:(1)获得被测构件的频散曲线;(2)设定激励频率和激励次数;(3)确定导波波长;(4)设定激励信号的初相位为0,以设定的激励频率同时进行第一次导波激励和导波检测,激励次数减1;(5)将激励传感器沿一个方向移动四分之一导波波长,并将激励信号的初相位改变π/2,再次同时进行导波激励和导波检测,激励次数减1;(6)重复步骤(5)的操作,直至检测次数为0;(7)将多次检测到的导波信号进行叠加。本发明实现了在构件中磁致伸缩导波的单方向激励和接收,同时克服了导波波长较小时对激励传感器的尺寸带来的限制。 |