成果基本信息 | ||||||
关键词: | ||||||
成果类别: | 应用技术 | 技术成熟度: | 初期阶段 | |||
体现形式(基础理论类): | 其他 | 体现形式(应用技术类): | 新技术 | |||
成果登记号: | 资源采集日期: | 2015-05-25 |
研究情况 | |||||
单位名称: | 桂林电子科技大学 | 技术水平: | 国内领先 | ||
评价证书号: | 评价单位: | ||||
评价日期: | 评价证书号: |
转化情况 | |||||
转让范围: | 合作开发 | 推广形式: | 合作开发 | ||
已转让企业数(个): |
联系方式 | |||||
联系人(平台): | 玉女士 | 联系人(平台)电话: | 0771-5885053 | ||
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成果简介 | |||||
该技术基于当前白光led产品制造的关键问题,尤其是针对当前我国白光led产品面临的专利壁垒问题(当前白光led的生产方式主要为蓝光芯片+黄光荧光粉,为日本日亚公司专利技术),立足于我国丰富的铝和稀土资源优势,结合自身优势展开研究的,通过对YAG:Ce3+荧光粉的稀土离子共掺杂技术和采用先进的制备方法,进一步提高了荧光粉体的性能和稳定性,并以此为基础,采用具有自主知识产权的磁控溅射技术制备YAG:Ce3+荧光薄膜,剖析了YAG:Ce3+荧光粉稀土离子共掺杂技术的机理,获得了与当前led蓝光芯片的相匹配、具有良好发光性能的荧光薄膜制备工艺,实现一种全新的白光led制造方式,为今后制造led荧光材料和荧光薄膜提供系统的应用基础理论指导,在有效规避当前白光led产品的壮丽问题的同时,进一步提高了白光led的发光效率,有效降低了材料和制造成本。 获得的荧光薄膜其激发波长为460nm,发射峰值:550nm,色温:4500~6000K,发光效率为65lm/w。 采用该薄膜化制备技术获得的荧光薄膜可以广泛应用于led产品的生产,尤其适用于当前白光led的制造,可有效减化封装工艺,减低制造成本。 项目负责人/联系人:徐华蕊 联系电话:0773-2290811
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