一种长寿命SiC发热元件的制备方法

成果基本信息
关键词：	SiC;发热元件;制备方法;长寿命
成果类别：		技术成熟度：
体现形式（基础理论类）：		体现形式（应用技术类）：	无
成果登记号：	9612016Y1139	资源采集日期：	2017-02-20

研究情况
单位名称：	西安交通大学	技术水平：
评价证书号：		评价单位：
评价日期：		评价证书号：

转化情况
转让范围：		推广形式：	无
已转让企业数（个）：	0

联系方式
联系人（平台）：	玉女士	联系人（平台）电话：	0771-5885053
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成果简介
本发明公开了一种长寿命SiC发热元件的制备方法，包括下述步骤：将下述组分按质量百分比配料：SiC，75～90％；Al2O3，1～5％；ZrO?,，1～5％；SiO?,，1～3％；Si，4～10％；C，1～5％；采用挤压成型工艺制成空心管；80～300℃烘干；氮气保护，1450～1650℃烧成，切割后制成发热部、检验电阻值后备用；将下述组分按质量百分比配料：SiC，70～90％，Ni，1～5％；Mo，1～5％；Ti，1～5％；TiC，1～5％；Si，5～10％；C，1～5％；采用与发热部相同的成型与烧结工艺烧成，切割后制成冷端部、检验电阻值后备用；在局部焊接温度1500～1600℃的条件下，将发热部的两端焊接上冷端部，完成整体发热元件的制备。

成果名称：	一种长寿命SiC发热元件的制备方法	关键词：	SiC;发热元件;制备方法;长寿命
成果类别：		一级分类名称：	装备制造
二级分类名称：	工业电热装备制造	三级分类名称：
研究起止时间：	2002.12 至2010.12	成果体现形式（应用技术类）：	无
成果属性：		成果体现形式（基础理论类）：
技术成熟度：		技术水平：
研究形式：		学科分类1：
单位名称：	西安交通大学	学科分类2：	430.45
中图分类号1：		所属高新技术类别：
中图分类号2：	TQ174	课题来源：
应用行业：		课题立项名称：
国家科技计划子类别：		课题立项编号：
经费实际投入额（万元）：	0.00	评价单位：
评价形式：	无	应用状态：	无
评价日期：		转让范围：
评价证书号：		推荐单位：
推广形式：	无	成果登记号：	9612016Y1139
成果简介：	本发明公开了一种长寿命SiC发热元件的制备方法，包括下述步骤：将下述组分按质量百分比配料：SiC，75～90％；Al2O3，1～5％；ZrO?,，1～5％；SiO?,，1～3％；Si，4～10％；C，1～5％；采用挤压成型工艺制成空心管；80～300℃烘干；氮气保护，1450～1650℃烧成，切割后制成发热部、检验电阻值后备用；将下述组分按质量百分比配料：SiC，70～90％，Ni，1～5％；Mo，1～5％；Ti，1～5％；TiC，1～5％；Si，5～10％；C，1～5％；采用与发热部相同的成型与烧结工艺烧成，切割后制成冷端部、检验电阻值后备用；在局部焊接温度1500～1600℃的条件下，将发热部的两端焊接上冷端部，完成整体发热元件的制备。
联系人：	金志浩	成果登记日期：	2016-10-25
联系人email：		单位代码：	96100031
邮政编码222：	710049	联系人电话：	029-82668320
单位传真：	029-83234772	单位通讯地址：	陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
单位所在省市：		单位电话：	029-82668234;82668338;82668382
转让收入（万元）：	0	单位属性：
合作完成单位：		已转让企业数（个）：	0
成果发布年份：	2016	知识产权形式：
成果完成人：	金志浩;李红伟;杨万利;乔冠军;金海云	资源采集日期：	2017-02-20

一种长寿命SiC发热元件的制备方法

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